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PIP-MOS管

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相干產物

MOS高壓場效應400v 6A 1Ω管 生成物產品型號:PSx06N40

  • MOS高壓場效應400v 6A 1Ω管
產物簡介:PIP高壓場效應管,額外電壓400v;額外電流6A;阻值規模0.78Ω~1Ω;閾值電壓(Vth)規模2V~4V;導通柵極電荷量14.5nc;Ciss寄生電容500pF。
重點參數:
特別直流電壓(DC)
400V
內寄生電阻 500pF
30%電壓電流 6A 功率(lv)電阻大小 0.78Ω~1Ω
產物利用:

化合物概述

PIP-MOS場反應管
額外的電流電壓 500V
額外的交流電
6A
阻值總量
0.78Ω~1Ω
閥值電流值(Vth)
2V~4V
導通柵極自由電荷量(og,nc)
14.5nc
寄身電解電容(Ciss)
500pF
級別尺寸
PSxlON40
400V_10A_(0.4~0.5)Ω_28nc_1254pF
PTxllN40
400V_11A_(0.35~0.5)Ω_28nc_1254pF
PTx20N40
400V_20A_(0.17~0.22)Ω_65nc_2650pF
PTx20N408
400V_20A_(0.24~0.3)Ω_35nc_2550pF
PTxSON40
400V_50A_(0.085~0.1)Ω_65nc_2650pF
PTW60N40
400V_60A_(0.06~0.08)Ω_97nc_2800pF
PTWSON20
200V_50A_(0.05~0.04)Ω_150nc_4200pF
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表示:比喻,200V_9A_(0.3~0.25)Ω_16nc_670pF

1、200V為MOS增加工作電壓;

2、9A為MOS減半電流(liu)量;

3、(0.3~0.25)Ω為MOS阻值規模;

4、16nc為MOS柵極電荷Qg;

5、670pF為Ciss寄生電容;


二極管(guan)封(feng)裝(zhuang)樣(yang)例

TO220&n💎bsp;TO220F TO251&nb𒈔sp;TO252 TO262 TO3P TO247


化合物用

化(hua)(hua)(hua)(hua)合物充(chong)分利用范(fan)籌通(tong)常, 主(zhu)要包括智(zhi)(zhi)能化(hua)(hua)(hua)(hua)化(hua)(hua)(hua)(hua)電(dian)子為了滿(man)足(zu)智(zhi)(zhi)能化(hua)(hua)(hua)(hua)化(hua)(hua)(hua)(hua)電(dian)子時代發展(zhan)的需求(qiu),類好幾個(ge♛)范(fan)籌, 似花費智(zhi)(zhi)能化(hua)(hua)(hua)(hua)化(hua)(hua)(hua)(hua)電(dian)子為了滿(man)足(zu)智(zhi)(zhi)能化(hua)(hua)(hua)(hua)化(hua)(hua)(hua)(hua)電(dian)子時代發展(zhan)的需求(qiu),、智(zhi)(zhi)能化(hua)(hua)(hua)(hua)化(hua)(hua)(hua)(hua)家居裝飾(shi)、智(zhi)(zhi)能化(hua)(hua)(hua)(hua)化(hua)(hua)(hua)(hua)照(zhao)明燈具、工🐷(gong)業自動化(hua)(hua)(hua)(hua)傳(chuan)奇(qi)裝備、智(zhi)(zhi)能機動車等(deng);


相干基本知識

1、Ciss附生電感,極大影響回落面板開關能量消耗,提高 改變打球,其它的不高的附生電感還可以我以為好用換代EMI電磁爐攪擾。

2、RDSON為電壓(ya)表內阻(zu),是電電源電路適配器的主電打開MOS,綜上所述都能都可以也許知足大部位的采用想要。

3、Qg(柵(zha)極電(dian)(dian)(dian)勢(shi)(shi)):柵(zh📖a)極電(dian)(dian)(dian)勢(shi)(shi)Qg是使柵(zha)極線電(dian)(dian)(diꦅan)壓從0達(da)到(dao)10V想(xiang)要的柵(zha)極電(dian)(dian)(dian)勢(shi)(shi),說的是MOS旋轉開關全部翻來,Gate極想(xiang)要要的電(dian)(dian)(dian)勢(shi)(shi)量。

4、Vth凡將視(shi)頻傳輸(shu)的(de)(de)的(de)(de)特征(zheng)弧線(xian)中(zhong)傷(shang)害功(gong)率(lv)隨(sui)傷(shang)害交(jiao)🌃流電轉(zhuan)為(wei)而快速轉(zhuan)移轉(zhuan)折區的(de)(de)中(zhong)點分其(qi)(qi)它(ta)的(de)(de)傷(shang)害交(jiao)流電通(tong)稱域值交(jiao)流電.在刻畫(hua)差其(qi)(qi)它(ta)的(de)(de)電子元器(qi)件時(shi)應有差其(qi)(qi)它(ta)的(de)(de)性(xing)能參數(shu)。如刻畫(hua)場釋放(fang)出的(de)(de)的(de)(de)的(de)(de)特征(zheng)時(shi),功(gong)率(lv)抵達(da)10mA時(shi)的(de)(de)交(jiao)流電被通(tong)稱域值交(jiao)流電。

產物報價:MOS高壓場效應400v 6A 1Ω管

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